Что, правда? Китайцы на пороге создания 1-нм чипов

Китайские ученые сообщили о создании технологии массового производства подложек с атомарно тонкими полупроводниковыми слоями. Новая технология масштабируется до производства 12-дюймовых (300-мм) подложек — самых массовых, продуктивных и наибольших по диаметру пластин для производства чипов. С такими пластинами транзисторы с затвором размером 1 нм и меньше станут реальностью, что продлит действие закона Мура и выведет электронику на новый уровень.

Современные технологии наращивания слоев на подложках работают по принципу осаждения материала из точки распыления на поверхность. Для нанесения пленок толщиной в один атом или около того на крупные пластины эта технология не предназначена. С ее помощью можно инициировать рост равномерной по толщине пленки только на небольшие пластины — примерно до 2 дюймов в диаметре. Для пластин большего диаметра и тем более для 300-мм подложек этот метод не годится.

В интервью изданию South China Morning Post профессор Пекинского университета Лю Кайхуи (Liu Kaihui) сообщил, что его группа разработала технологию производства атомарно тонких слоев на любых подложках вплоть до 300-мм. В основе технологии лежит контактный метод выращивания пленки с поверхности на поверхность. Активный материал входит в контакт с подложкой сразу по всей ее поверхности, давая старт для роста пленки равномерно во всех ее точках. В зависимости от типа активного материала могут быть выращены пленки нужного состава и даже множество пленок друг на друге, если это потребуется.

Кроме того, ученые разработали проект установки для выращивания атомарно тонких пленок в массовых объемах. Согласно расчетам, одна такая установка может выпускать до 10 тыс. 300-мм подложек в год. Эта же технология подходит для покрытия подложек графеном, что позволит, наконец, внедрить этот интересный материал в массовое производство чипов.

Следует сказать, что ученые заглянули далеко вперед. Сегодня 2D-материалы (толщиной в 1 атом) только исследуются на предмет использования в структурах 2D-транзисторов и в других качествах. До массового производства подобных решений еще очень далеко, и предстоит провести много научной работы, пока она не воплотится в серийной продукции. Но это важнейшее направление, которое позволит совершить прорыв в производстве электроники, и китайские производители внимательно следят за успехами своих ученых.

Истории и карточки

1
Вывод КАБСов на Форуме!
форум
Обновление Форума!
Активность EL-комитета НОПСМ-1.mp4_snapshot_00.19.255
Активность EL-комитета НОПСМ
RC3d кейсы-1.mp4_snapshot_00.09.816
Вот как надо делать кабель красивым!

Рекомендуем прочесть

В ТГУ разработали инновационный метод прогнозирования разрушения металлов
Учёные Тольяттинского государственного университета (ТГУ) разработали инновационный метод прогнозирования...
Разделительная перегородка для металлических лотков — обновленный конструктив для удобного и безопасного монтажа
IEK модернизировал разделительные перегородки для металлических кабельных лотков. В новом конструктиве...
IEK GROUP ― партнер национальных проектов
IEK GROUP стала финалистом национальной премии «Наш вклад» и получила статус партнера национальных проектов...

Журнал

Читайте и скачивайте архив журнала ElektroPortal, где мы рассказываем о главных новостях и событиях рынка и интересно пишем об электротоварах

Радио Kabel.FM

Слушайте первое кабельное радио Kabel.FM на ЭлектроПортал.Ру

album-art

Прямая трансляция Kabel.FM
00:00

Не работает эфир? Переходи на резервный!