Самый быстрый, без кремния и литографов — китайцы создали чудо-транзистор

Команда исследователей из Пекинского университета (Peking University) утверждает, что им удалось преодолеть технологические ограничения для наращивания производительности чипов относительно простыми средствами. Ученые буквально сменили направление в производстве транзисторов, отказавшись как от современных сканеров, так и от кремния.

Общепринято, что выпуск 2-нм полупроводников и решений с меньшими технологическими нормами связан с переходом на EUV-литографию и новые транзисторные архитектуры. Все это требует колоссальных затрат на разработку и производственные ресурсы. Однако даже при условии наличия таких ресурсов экспорт высокотехнологичного оборудования строго ограничен США и их партнерами. В частности, в Китай запрещено продавать сканеры EUV и даже современные версии 193-нм DUV-сканеров.

Группа ученых из Пекинского университета изначально работала над новой технологией производства чипов в попытке обойти санкции, но в итоге добилась принципиально нового результата — создала техпроцесс производства 2D-транзисторов с использованием материалов, не содержащих кремний. Исследователи утверждают, что для изготовления этих «принципиально новых» транзисторов подходит типичное оборудование, используемое в полупроводниковой промышленности. По крайней мере, чип был изготовлен на экспериментальной университетской линии, которая вряд ли оснащена передовыми технологиями.

В качестве материалов для транзисторного канала и затвора были использованы оксиды висмута: Bi₂O₂Se для канала и Bi₂SeO₅ для затвора. Благодаря своим свойствам эти материалы можно наносить на подложку атомарно тонкими и однородными слоями, что обеспечивает повторяемость процесса и стабильность характеристик транзисторов. Именно за это свойство транзистор на основе Bi₂O₂Se и Bi₂SeO₅ считается 2D-транзистором. Архитектурно он представляет собой полевой транзистор с круговым затвором (GAAFET). Разработчики описывают его структуру как «плетеный мост» вместо традиционных для FinFET «небоскребов».

По словам исследователей, высокая диэлектрическая проницаемость используемых материалов позволяет создавать сверхтонкие структуры затворов, не допускающие токов утечки, что снижает напряжение переключения транзисторов. Это, в свою очередь, увеличивает скорость переключения транзисторов при одновременном снижении энергопотребления.

Ученые заявляют, что их 2D-транзисторы работают на 40 % быстрее по сравнению с ультрасовременными 3-нм транзисторами TSMC и Intel, при этом потребление энергии снижено на 10 %. Они также разработали простую логическую схему на основе новых транзисторов и экспериментально подтвердили их впечатляющие рабочие характеристики.

Истории и карточки

1
Вывод КАБСов на Форуме!
форум
Обновление Форума!
Активность EL-комитета НОПСМ-1.mp4_snapshot_00.19.255
Активность EL-комитета НОПСМ
RC3d кейсы-1.mp4_snapshot_00.09.816
Вот как надо делать кабель красивым!

Рекомендуем прочесть

Ученые НГТУ НЭТИ разработали генератор комбинированной волны напряжением до 25 000 В
Коллектив электротехнической лаборатории Новосибирского государственного технического университета НЭТИ...
ИБП производства ЧЗЭО обеспечат надёжность газо- и теплоснабжения Московской области
ООО «Челябинский завод электрооборудования» (ЧЗЭО) завершил поставку и ввод в эксплуатацию промышленных...
Компания «Электрорешения» (бренд EKF) — лидер в соцсетях среди электротехнических компаний по итогам 2025 года
По итогам 2025 года компания «Электрорешения», представитель бренда EKF в России, заняла лидирующие позиции...

Журнал

Читайте и скачивайте архив журнала ElektroPortal, где мы рассказываем о главных новостях и событиях рынка и интересно пишем об электротоварах

Радио Kabel.FM

Слушайте первое кабельное радио Kabel.FM на ЭлектроПортал.Ру

album-art

Прямая трансляция Kabel.FM
00:00

Не работает эфир? Переходи на резервный!